1. 通过 7nm微纳电子器件教学套件对二极管进行 C-V 特性曲线测量, 进一步加深理解二极管 C-V 特性。 2. 通过 7nm 微纳电子器件教学套件进一步了解二极管电容。 3. 通过改变测量条件，了解影响二极管 C-V 特性曲线的因素。

1. 使用 7nm 微纳电子器件教学套件测量双极型三极管的共射极输出特性曲线，通过实际测量结果进 一步理解双极型晶体管的输出特性。 2. 通过调节测量温度，分析温度对于 BJT 的输出特性曲线的影响。

1.通过 7nm 微纳电子器件教学套件进行实验，进一步理解 180nm NMOS 晶体管转移特性曲 线(Ids-Vgs)。 2.通过调节测量温度，分析温度对于 NMOS 晶体管转移特性曲线（Ids-Vgs）的影响。 3.通过调节工艺参数，分析工艺参数对于 NMOS 晶体管转移特性曲线（Ids-Vgs）的影响。

1.通过 7nm 微纳电子器件教学套件进行实验，进一步理解 180nmNMOS 晶体管输出特性曲 线（Ids-Vds）。 2.通过调节测试温度，分析温度对于 NMOS 晶体管输出特性曲线（Ids-Vds）的影响。 3.通过调节工艺参数，分析工艺参数对于 NMOS 晶体管输出特性曲线（Ids-Vds）的影响。